onsemi 2SD1801S-TL-E
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SD1801S-TL-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
ON SEMI 2SD1801S-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 2 A, 50 V, 3-PIN TP-FA
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
50V 15W 2A 140@100mA2V 150MHz NPN 150mV@1A50mA +150¡Í@(Tj) TP-FA Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bip Transistoe 50V 2A VCE(sat);0.4V max. NPN Single TP/TP-FA
400mV@ 50mA,1A NPN 800mW 6V 100nA 60V 50V 2A TP-FA SMD mount 6.5mm*5.5mm*2.3mm
TRANSISTOR, NPN, 50V, 2A, TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Typ Gain Bandwidth ft:150MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:280; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min140
Max Collector Current2 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen