onsemi 2SC6082-1E
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SC6082-1E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 50 V, 15 A, Low VCE(sat), NPN TO-220F-3SG
Bipolar Transistor, Npn, 50V, To-220F-3; |Onsemi 2SC6082-1E
Trans GP BJT NPN 50V 15A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 1-Element, NPN
NPN Transistor, onsemi, TO-220F, TH, Ic=15A, Vceo=60V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 15A 50V
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-220F-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 195MHz; Power Dissipation Pd: 23W; DC Collector Current: 15A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Tra
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -30.05%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current15 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product195 MHz
hFE Min200
Max Collector Current15 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency195 MHz
Dimensions
Height19.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen