onsemi 2SC6017-E
$ 0.341
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SC6017-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 50V, 10A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, Silicon
Bipolar Transistor, Npn, 50V, To-251-4; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:10A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2SC6017-E
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.17%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min200
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation950 mW
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingBulk
PolarityNPN
Transition Frequency200 MHz
Datenblätter und Dokumente
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