onsemi 2SC5569-TD-E
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
ROHM2SD2661T100
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.ZXTN25012EZTA
Small Signal Bipolar Transistor, 6.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTDG23YPT100
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Diodes Inc.ZXTN19100CZTA
ZXTN19100CZ Series NPN 100 V 5.25 A Medium Power Transistor SMT - SOT-89-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2SC5569-TD-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar Transistor, 50V, 7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
2SC5569 Series NPN 3.5 W 100 V 7 A SMT Switching Transistor - SOT-89
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS NPN 50V 7A SOT89-3
ON SEMI 2SC5569-TD-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 7 A, 50 V, 3-PIN PCP
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 7A 50V
TRANSISTOR, NPN, 50V, 7A, SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Typ Gain Bandwidth ft:330MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage240 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency330 MHz
Gain Bandwidth Product330 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current7 A
Max Frequency6.7 GHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency330 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen