onsemi 2N5885G
$ 3.194
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2N5885G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH POWER, VCEO 60VDC, IC 25A, PD 200W, TO-204AA (TO-3)
25 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
2N Series 60 V 25 A NPN Complementary Silicon High-Power Transistor - TO-204AA
ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE
Trans GP BJT NPN 60V 25A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-204-2; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 4MHz; Power Dissipation Pd: 200W; DC Collector Current: 25A; DC Current Gain hFE: 4hFE; Transis
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-204-3
Contact PlatingTin
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min4
Max Collector Current25 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation200 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency4 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height8.51 mm
Length39.37 mm
Width26.67 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen