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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1973-01-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 2N5485, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor JFET N-CH 0.01A 3-Pin TO-92 Bulk
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
This device is designed primarily for electronic switching applications such as low On Resistance analog switching. Sourced from Process 50.
TRANSISTOR, JFET, N, RF, TO-92; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:4mA to 10mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:4V; Power Dissipation Pd:350mW; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Idss Max:10mA; Current Idss Min:4mA; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:350mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Breakdown Voltage25 V
Continuous Drain Current (ID)30 mA
Current Rating10 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Frequency400 MHz
Gain10 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)-25 V
Input Capacitance5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure4 dB
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation350 mW
Test Voltage15 V
Voltage Rating25 V
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height7.87 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen