Omron EE-SY199
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Lieferkette
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2017-10-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Omron EE-SY199, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Non-amplified Photomicrosensor T/R
930nm Reflective 1mm 20¦Ìs,20¦Ìs Phototransistor SMD , 3.2mm*1.7mm*1.1mm
Switch; Pin Plunger; 2 A @ 12 V; 12 V; Snap Action; D2HW Series
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin SMD
SENSOR;PHOTOMICROSENSORS NON-AMPLIFIED PHOTOMICROSENSOR T&R
SENSOR OPTO TRANS 1MM REFL SMD / Ultra-compact model.
Transistor Output Optocoupler, 1-Element
Photomicrosensor, Reflect., 0.6Mm
EE-SY199, OMRON ELECTRONIC COMPONENTS
PHOTOINTERRUPTER REFLCTIVE SMD
Aliasnamen des Herstellers
Omron verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Omron ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.09%
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Case Code (Imperial)1206
Case Code (Metric)3216
MountPCB, Surface Mount
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Dark Current100 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Voltage (DC)1.4 V
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Current20 mA
Output TypePhototransistor
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation100 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time20 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance1 mm
Wavelength950 nm
Dimensions
Depth1.7 mm
Height1.1 mm
Length3.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnknown
RoHSCompliant