Omron EE-SG3
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 Ultra Librarian | Symbol | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Omron EE-SG3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SENSOR, TRANSMISSIVE, THRU BEAM RETROREFLECTIVE SENSING MODE, PHOTOELECTRIC
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:20mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:Slotted; No. of Pins:4; Input Current Max:30mA
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 3.6MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 3.6mm; Aperture Width: -; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 4V; Forward Voltage: 1.2V; Product Range:
Photomicrosensor, Transistor; Sensing Method:Transmissive; Sensing Distance/Slot Width:3.6Mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case/Package:Module; Collector Emitter Voltage Max:30V; Ip Rating:-; Qualification:-Rohs Compliant: Yes |Omron Electronic Components EE-SG3
Aliasnamen des Herstellers
Omron verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Omron ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountPanel, Solder, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Input Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.6 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Length25.4 mm
Width2 mm
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