NXP Semiconductors PUMB4
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Lieferkette
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PUMB4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100 mA 50 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PNP/PNP RESISTOR-EQUIPPED TRANSISTOR; R1=10 KILO OHM, R2=OPEN Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Transistor Type:Digital Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:100A; Voltage, Vce Sat Max:-150mV; Power Dissipation:200mW; Min ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-150mV; Continuous Collector Current Ic Max:100A; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Ic hFE:1mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:200; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Resistance R1:10kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:-50V
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min100
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation200 mW
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen