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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-12-31
LTD Date2021-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors PMZB290UNE, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N Channel, 20V, 1A, Sot883b
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trench MOSFET N-channel 20V 1A SOT-883B
RS APAC
20 V, single N-channel Trench MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-883
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance55 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation715 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs750 mV
Number of Elements1
Threshold Voltage750 mV
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height360 µm
Length1.05 mm
Width650 µm
Datenblätter und Dokumente
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