NXP Semiconductors BFU580QX
$ 0.386
EOL
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2014-04-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-03-31
LTD Date2028-06-30
Verwandte Teile
ROHM2SD2661T100
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.ZXTN25012EZTA
Small Signal Bipolar Transistor, 6.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.ZXTP25012EZTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Surface Mount
ROHMDTDG23YPT100
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von NXP Semiconductors BFU580QX, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, TO-243AA
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
NPN 1W 3V 1nA(Typ) 30V 12V 60mA SOT-89-3 1.6mm
Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4-Pin SOT89 T/R
Avnet Japan
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
TRANSISTOR, AUTO, RF, NPN, 12V, SOT89; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 10.5GHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current; Available until stocks are exhausted
Aliasnamen des Herstellers
NXP Semiconductors verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NXP Semiconductors ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-89-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)24 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current30 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)2 V
Frequency900 MHz
Gain8.5 dB
Gain Bandwidth Product10.5 GHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current60 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency10.5 GHz
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen