NTE Electronics NTE2987
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Beschreibungen
Beschreibungen von NTE Electronics NTE2987, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
POWER MOSFET N-CHANNEL 100V ID=20A TO220 CASE LOGIC LEVEL HIGH SPEED SWITCH
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
replacement Transistors TO-220 N-CH 100V 20A
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IC, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 20A, TO; IC, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 20A, TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Threshold Voltage Vgs:1.6V
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -20.45%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight72.574779 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation105 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation105 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Dimensions
Height12.7 mm
Length152.4 mm
Width76.2 mm
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