NTE Electronics NTE222
$ 18.06
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
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Min.
Verpackung
Staffelpreise
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von NTE Electronics NTE222, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet N-channel Dual Gate 20V Idss= 5-35ma TO-72 Case Gate Protected Vhf AMP/mixer Applications
NTE Electronics
MOSFET, N-CH, VDSS 25V, ID 50MA, 3-PIN METAL CASE, PD 360MW, -65DEGC, +175DEGC
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72
DUAL N CHANNEL MOSFET, 25V, TO-72; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 25V, TO-72; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:50mA; Drain Source Voltage Vds, N Channel:25V; Power Dissipation Pd:360mW; Operating Temperature Range:-65°C to +175°C
Dual N Channel Mosfet, 25V, To-72; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:25V; Drain Source Voltage Vds P Channel:-; Continuous Drain Current Id N Channel:50Ma; Continuous Drain Current Id P Channel:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Nte Electronics NTE222
Aliasnamen des Herstellers
NTE Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. NTE Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- NTE
- NTE Electronics Inc
- NTE ELECT
- NTE Electronics Incorporated
- NTE ELECTRONICS ACCT
- NTE Electronic Inc
- NTE/EDGE
- NTE/PHILIPS ECG
- NTE 88'S
- PROSPERITY ELECTRONICS CO LTD
- NTE/PEC
- NTE Electronics Inc (use ECG / NTE Electronics)
- NTE-F
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-72
MountThrough Hole
Number of Terminals4
Weight72.574779 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gain14 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation360 mW
Dimensions
Height4.826 mm
Length88.9 mm
Width5.588 mm
Datenblätter und Dokumente
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