Nexperia PUMH10

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
$ 0.139
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia PUMH10 herunter.

IHS

Datasheet16 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 24 Jahren

Newark

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-11.27%

CAD-Modelle

Laden Sie Nexperia PUMH10 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3D
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-08-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia PUMH10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP
Nexperia NPN Digital Transistor SOT-363 (SC-88) SMD Ic 100mA Vceo 50V
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Bias Resistor Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Base Input Resistor, R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor, R2:47kohm; Resistor Ratio, R1/R2:21 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:100mV; Continuous Collector Current Ic Max:100A; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Ic hFE:10mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:100; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:200mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Resistance R1:2.2kohm; Resistance R1 PNP:2.2kohm; Resistance R2:47kohm; Termination Type:SMD; Transistor Type:Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo:50V

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • Infineon_Nexperia
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)