Nexperia PMZB290UNE,315
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2020-12-31
LTD Date2021-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
onsemiNTJS4405NT1G
NTJS4405N: Small Signal MOSFET 25V 1.2A 350 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemiNVJS4405NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
Diodes Inc.DMC2700UDM-7
Mosfet Bvdss: 8V-24V Sot26 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMC2700UDM-7
InfineonBSD840NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.88A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1
Diodes Inc.DMG1012UW-7
N-Channel 20 V 1 A 0.45 O Surface Mount Enhancement Mode Power MosFet - SOT-323
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PMZB290UNE,315, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PMZB290UNE Series 20 V 1 A Single N-Channel Trench MOSFET - DFN1006B-3
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin SOT-883B T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B
MOSFET, N-CH, 20V, 1A, SOT883B; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 750mV; Powe
Mosfet, N Channel, 20V, 1A, Sot883B; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:1A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):0.29Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V |Nexperia PMZB290UNE,315
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance83 pF
Max Dual Supply Voltage20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation715 mW
Rds On Max380 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen