Nexperia PMZB200UNEYL
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLML2803TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V
Diodes Inc.DMN3190LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PMZB200UNEYL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 1.4 A, 30 V, 0.21 Ohm, 4.5 V, 700 Mv Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3 / N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 350mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
PMZB200UNE/XQFN3/REEL 7" Q1/T1
2.7nC 1N 30V 1.4A 1mm*600¦Ìm*370¦Ìm
PMZB200UNE - 30V, N-CHANNEL TREN
MOSFET, N-CH, 30V, 1.4A, SOT-883B-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.21ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700m
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance89 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max250 mΩ
Schedule B8541210080
Datenblätter und Dokumente
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