Nexperia PMDPB30XN,115
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2075U-7
Single N-Channel 20 V 45 mOhm 7 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMG9926UDM-7
Mosfet, Dual, N-Ch, 20V, 4.2A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG9926UDM-7
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PMDPB30XN,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 5.3A 8-Pin DFN2020-6 T/R
PMDPB30XN Series 20 V 40 mOhm 490 mW Dual N-Channel TrenchMOS FET - DFN-2020-6
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, DFN2020; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.3A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 65
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900mV; Power Dissipation:8.33W; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)650 mV
Input Capacitance660 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.33 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingDigi-Reel®
Rds On Max40 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time4 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen