Nexperia PDTC124XT,215
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPDTC144EK,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
ROHMDTC144GKAT146
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia PDTC124XT,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
PDTC124XT Series 50 V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor - SOT-23
50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩ
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
150mV@500µA,10mA NPN Pre-Biased 250mW 7V 1μA 50V 100mA TO-236AB SMD 3mm × 1.4mm × 1mm
100 mA 50 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 22KOHM / 47KOHM, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:2.1 ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 22kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: PDTC124X Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 150mV; Continuous Collector Current Ic Max: 100mA; Current Ic Continuous a Max: 100mA; Current Ic hFE: 5µA; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Full Power Rating Temperature: 25°C; Hfe Min: 80; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 250mW; Power Dissipation Ptot Max: 250mW; Resistance R1: 22kohm; Resistance R2: 47kohm; Transistor Case Style: SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Voltage Vcbo: 50V
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PolarityNPN
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen