Nexperia NX7002BKR
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia NX7002BKR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
NX7002BKR Series 60 V 2.8 Ohm 400 mW 1 nC SMT N-Channel TrenchMOS FET - SOT-23
60V 270mA 310mW 2.8´Î@10V200mA 2.1V@250Ã×A N Channel SOT-23(SOT-23-3) MOSFETs ROHS
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.27A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.31%
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)270 mA
Drain to Source Resistance3.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance23.6 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.67 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max2.8 Ω
Resistance2.2 Ω
Schedule B8541210080
Datenblätter und Dokumente
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