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Nexperia BSH201,215

Transistor Mosfet P-ch 60V 0.3A 3-PIN TO-236AB T/r
$ 0.142
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Verical
BSH201,215
100.782
2109
USD
0,159
Rochester Electronics
BSH201,215
113.891
USD
0,172
0,142
0,127
3h
TME
2
BSH201.215
0
1
USD
0,430
0,311
0,224
0,224
0,224
1h
Newark
2
BSH201,215
0
5
Cut Tape
USD
0,641
0,405
0,405
0,405
Future Electronics
BSH201,215
0
3K
Tape & Reel
USD
0,078

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 27 Jahren

TME

Farnell

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-77.08%
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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1998-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia BSH201,215, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R
North Star Micro
BSH201 Series 60 V 4.25 Ohm 3 nC 0.417 W P-Channel Silicon SMT MOSFET - SOT-23
Future Electronics
MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23 | NXP BSH201215 (MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23 Transistors).
Fly-Wing Technology
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 417 mW
Distrelec
MOSFET Devices; NEXPERIA; BSH201, 215; -60 V; -300 mA; 417 mW; 2.1 Ohm
Maritex
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Semicontronic
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-160mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:417mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-300mA; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:417mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:1.9V
element14 APAC

Bilder

Nexperia
RS
Newark
TME
Farnell
Distrelec
Distrelec
Micros
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • "BSH201,215"
  • BSH201,215.
  • BSH201215