Nexperia BC856B

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.BC856B120.0001Tape & Reel
1d
AztechBC856B7.049
1d
Cytech SystemsBC856B128.099
4h
RC ElectronicsBC856B126.1701
>1wk
Anlinkda
2
BC856-B99.977
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Nexperia BC856B herunter.

IHS

Datasheet13 SeitenVor 3 Jahren
Datasheet3 SeitenVor 0 Jahren
Datasheet5 SeitenVor 25 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

element14 APAC

Upverter

element14

Farnell

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
Restocked
Powered bySpectra logo

Lieferkette

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2004-06-30

Verwandte Teile

NexperiaBC857B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Details
NexperiaPDTA143ET
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon
Details
onsemiFJV4101RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Details
onsemiBC856BMTF
BC856 Series 65 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Details
onsemiBC857BMTF
BC857 Series 45 V CE Breakdown .1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - SOT-23
Details
NexperiaBC807
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 345mW Automotive 3-Pin SOT-23 / TRANS 2PNP 45V 0.5A 6TSOP
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Nexperia BC856B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Rebound Electronics
65V 200mW 220@2mA,5V 100mA PNP SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Dasenic
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB
Component Sense
TRANSISTOR, PNP SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 250mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 220hFE; Transistor Case Sty
Farnell
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:65V; Continuous Collector Current, Ic:100mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):0.25V; Power Dissipation, Pd:0.25mW ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = -100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = -65 / DC Current Gain (hFE) = 220 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = -80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = -5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 250 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = -300 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = -700 / Reflow Temperature Max. °C = 260
Distrelec

Bilder

element14
Distrelec
Farnell
SOS electronic

Aliasnamen des Herstellers

Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BC 856 B
  • BC 856B
  • BC-856-B
  • BC-856B
  • BC856 B
  • BC856-B
  • BC856B.