Nexperia BAS86,115
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.70
Introduction Date1991-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Verwandte Teile
onsemiBAT54SWT1G
DIODE, SCHOTTKY BARRIER, FAST, VR 30V, IF 200MA, PKG SOT-323 (SC-70),CONFIG DUAL
onsemiBAT54CWT1G
BAT54CWT1 Series 30 V 600 mA Surface Mount Dual Schottky Barrier Diode - SOT-323
Beschreibungen
Beschreibungen von Nexperia BAS86,115, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
BAS86 Series 50 V 5 A Surface Mount Schottky Barrier Diode - SOD-80C
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon
Diode Schottky 50 Volt 0.2A 2-Pin LLDS Tape and Reel
Nexperia Schottky Diodes Diodes, 200mA, 50V, surface mount, LLDSencapsulation, 2needle
Rectifier Diode Schottky 0.2A 4ns 2-Pin Mini-MELF T/R
Small Signal Diode; Diode Type:Schottky; Forward Current, If(AV):100mA; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:50V; Forward Voltage Max, VF:900mV; Reverse Recovery Time, trr:4ns; Forward Surge Current Max, Ifsm:5A ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Nexperia verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Nexperia ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialGlass
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Average Rectified Current200 mA
Element ConfigurationSingle
Forward Current200 mA
Forward Voltage900 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)500 mA
Max Operating Temperature125 °C
Max Output Current200 mA
Max Power Dissipation300 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)50 V
Max Reverse Leakage Current5 µA
Max Reverse Voltage (DC)50 V
Max Surge Current5 A
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Peak Non-Repetitive Surge Current5 A
Peak Reverse Current5 µA
Recovery Time4 ns
Reverse Recovery Time4 ns
Reverse Standoff Voltage40 V
Schedule B8541100070
Dimensions
Height1.6 mm
Length3.7 mm
Width1.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen