Renesas CM600HA-24A
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-03-15
LTD Date2025-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Renesas CM600HA-24A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3670000mW 4-Pin
IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:3.67kW; Junction Temperature, Tj Max:150°C; IGBT Termination:Tab; Product Range:A Series
Igbt Module, 1200V, 600A, Igbtmod; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:600A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:3.67Kw; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv |Mitsubishi Electric CM600HA-24A
Aliasnamen des Herstellers
Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Renesas Electronics
- Renesas Electronics America Inc
- Renesas Electronics America
- RENESA
- REN
- RENES
- RENESAS TECHNOLOGY CORP
- RENESAS TECHNOLOGY
- Renesas Electronics Corporation
- RENESAS ELECTRONICS CORP
- RENSAS
- RENASAS
- Renesas / Intersil
- RNS
- RENESAS-PB
- RENESASTEC
- RENESES
- Renesas Technology America
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas / IDT
- RENESASE
- RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- RENEASAS
- RENESAS/M
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current600 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.67 kW
Number of Elements1
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