Renesas CM600DY-12NF

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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IHS

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Newark

iiiC

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas CM600DY-12NF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
High Power Switching Igbt Module
POWER IGBT TRANSISTOR
standard package
Igbt Module, 600V, 600A; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.2V; Power Dissipation:1.13Kw; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:600V Rohs Compliant: Yes |Mitsubishi Electric CM600DY-12NF

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • CM600 DY-12NF
  • CM600DY 12NF
  • CM600DY12NF