Renesas CM200DY-12NF

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
$ 107.35
Obsolete
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IHS

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Farnell

iiiC

Newark

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas CM200DY-12NF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Trans IGBT Module N-CH 600V 200A 650W 4-Pin
IGBT MODULE, 600V, 200A; DC Collector Cu; IGBT MODULE, 600V, 200A; DC Collector Current: 200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 600V; Power Dissipation Pd: 650W; Junction Temperature, Tj Max: 150°C; IGBT Termina
Igbt Module, 600V, 200A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:200A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):600V; Disipación De Potencia Pd:650W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:7 |Mitsubishi Electric CM200DY-12NF

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • CM200DY12NF