Renesas CM200DU-24F

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet4 SeitenVor 25 Jahren
Datasheet4 SeitenVor 24 Jahren

iiiC

ARCEL Power Electronics

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-06-28
LTD Date2020-03-28

Beschreibungen

Beschreibungen von Renesas CM200DU-24F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
POWER IGBT TRANSISTOR
standard package
Igbt Module, 1.2Kv, 200A; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:200A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:890W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:7 |Mitsubishi Electric CM200DU-24F

Aliasnamen des Herstellers

Renesas verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Renesas ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • CM200DU24F