Littelfuse IXTK82N25P
$ 6.832
Production
Preis und Lagerbestand
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -51.87%
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Alternative Teile
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFGL40N120ANDTU
1200V NPT IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXTK82N25P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 250V 82A TO-264 / Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-264
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-264 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 500 W
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 250V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA
500W(Tc) 20V 5V@ 250µA 142nC@ 10 V 1individualNChannel 250V 35mΩ@ 41A,10V 82A 4.8nF@25V TO-264-3 Through hole mounting 20.29mm*5.31mm*26.59mm
Mosfet, N-Ch, 250V, 82A, To-264; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:82A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V Rohs Compliant: Yes |Littelfuse IXTK82N25P
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -51.87%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-264
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)82 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation500 W
Rds On Max38 mΩ
Reverse Recovery Time200 ns
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time78 ns
Datenblätter und Dokumente
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