Littelfuse IXGH50N90B2D1
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Country of OriginMainland China, Philippines, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
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IXYH40N90C3D1 900 Vce 40 A 27 ns t(on) GenX3 High-Speed IGBT - TO-247-3
MicrochipAPT43GA90BD30
Igbt Pt Mos 8 Combi 900 V 43 A To-247 3; |Microchip Technology APT43GA90BD30
STMicroelectronicsSTGWA30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW40H65FB
IGBT 650V 80A 283W TO247 / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 283 W Through Hole TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXGH50N90B2D1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IXGH Series 900 Vce 75 A 20 ns t(on) HiPerFAST IGBT w/ Fast Diode - TO-247AD
Mid-Frequency Series - 300V - 1400V [15 - 40 kHz] PT (Punch Through) IGBTs, TO-247AD, RoHS
Littelfuse SCT
400W 2.2V Freestanding 900V 75A TO-247AD Through hole mounting 16.26mm*5.3mm*21.46mm
Transistor, Igbt, 900V, 75A, To-247; |Littelfuse IXGH50N90B2D1
HiPerFAST IGBT with Fast Diode | IGBT 900V 75A 400W TO247AD
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Disc IGBT PT-Mid Frequency TO-247AD
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.500007 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)900 V
Collector Emitter Breakdown Voltage900 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)900 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current75 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation400 W
Reverse Recovery Time200 ns
Turn-Off Delay Time350 ns
Turn-On Delay Time20 ns