Littelfuse IXFN30N120P
$ 55.925
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IXFN30N120P | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| TTI | IXFN30N120P | 0 | 300 | Tube | 11h | |||||||
| Newark | IXFN30N120P | 0 | 300 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | IXFN30N120P | 0 | 75 | Bulk | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IXFN30N120P | 0 | 10 | Bulk | 1d |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Littelfuse IXFN30N120P herunter.
Offizielles DatenblattVor 11 Jahren
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Littelfuse IXFN30N120P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B / N-Channel 1200 V 30A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Discmsft N-Ch Hiperfet-Polasot-227B(Mini/ Tube |Littelfuse IXFN30N120P
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1200V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
890W(Tc) 30V 6.5V@1mA 310nC@ 10 V 1N 1.2KV 350m¦¸@ 500mA,10V 30A 19nF@25V SOT-227B , 38.23mm*25.42mm*9.6mm
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs), SOT-227B, RoHS
Littelfuse SCT
Aliasnamen des Herstellers
Littelfuse verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Littelfuse ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-227-4
Contact PlatingNickel
MountChassis Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.2 kV
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance19 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation890 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation890 W
Rds On Max350 mΩ
Reverse Recovery Time300 ns
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time95 ns
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren