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LGE MMBT3906

Transistor: PNP; bipolar; -40V; -0.2A; 200mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
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Datenblätter und Dokumente

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Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Beschreibungen

Beschreibungen von LGE MMBT3906, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor: PNP; bipolar; -40V; -0.2A; 200mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
PNP 250mW 50nA 100mA SOT-23 1.8mm(height)

Aliasnamen des Herstellers

LGE verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. LGE ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Shenzhen Luguang Electronic Technology Co Ltd
  • Luguang Electronic Technology COLTD (LGE)
  • LGE(Lu Guang)
  • LGE : Luguang Electronic Technology Co Ltd
  • LGE (SHENZHEN LUGUANG
  • LGE (SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC
  • HUIXIN ELECTRONIC
  • LUGUANG ELECTRONIC