Infineon SI4420DYPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS11NF30L
N-Channel 30V - 0.009 Ohm - 11A - SO-8 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SI4420DYPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI4420DYPBF N-channel MOSFET Transistor, 12.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low Switching Losses; Low Conduction Losses
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:12.5A; On Resistance, Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Current Rating12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Elements1
On-State Resistance9 mΩ
Package Quantity95
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen