Infineon ISC800P06LMATMA1
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon ISC800P06LMATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Ch MOSFET 83W(Tc) 60V 19.6A 80mΩ@16A,10V 1.4nF@30V 2V@724µA 14.8nC@10V SMD
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60 V in SuperSO8 package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.3 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1