Infineon ISC010N04NM6ATMA1
$ 0.926
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +58.74%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon ISC010N04NM6ATMA1 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon ISC010N04NM6ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-01-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon ISC010N04NM6ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor Power MOSFET N-Channel 40V 285A 8-Pin TDSON-FL T/R
MOSFET Devices; INFINEON; ISC010N04NM6ATMA1; 40 V; 40 A; 20 V; 3 W
Infineon NMOS ISC010N04NM6, Vds=40 V, 40 A, SuperSO8 5 x 6, , 8
Power Field-Effect Transistor, 285A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.2 mm 3 W 1 9.7 ns 27.8 ns 175 °C -55 °C 820 µΩ
With this best-in-class OptiMOSTM 6 power MSOFET 40V normal level, Infineon offers a benchmark solution for normal level (higher threshold voltage) required applications such as battery-powered applications, battery-powered tools, battery management, and low voltage drives. A higher Vth for the normal level portfolio means that only larger gate voltage spikes would cause an unwanted turn-on.In addition, lower QGD/QGS ratios (CGD/CGS divider ratio) reduce the gate voltage spikes' peak, further contributing to the robustness against unwanted turn-on. The ISC010N04NM6 features very low RDS(on) of 1.0mOhm.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +58.74%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)285 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Turn-Off Delay Time27.8 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height1.2 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon ISC010N04NM6ATMA1 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen