Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-09-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 years ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-06-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLZ24NS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Input Capacitance480 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time74 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen