Infineon IRLZ24NLPBF
Obsolete
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLZ24NLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:18A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating17 A
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Input Capacitance480 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage55 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation45 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time20 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Datenblätter und Dokumente
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