Infineon IRLS3813PBF
Obsolete
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Vertriebspartner
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Min.
Verpackung
Staffelpreise
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Verwandte Teile
InfineonIRLS3813TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
InfineonAUIRF1324S
Automotive Q101 24V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF2903ZS
Automotive Q101 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
VishaySUM90N03-2M2P-E3
SUM90N03-2M2P-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 90 A, 30 V, 2+TAB-PIN TO-263
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLS3813PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK / N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
TUBE / MOSFET, 30V,160A, 1.95Ohm, 55nC, D2-PAK single
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 30V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free; RoHS Compliant
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)160 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time102 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation195 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.95 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation195 W
Rds On Max1.95 mΩ
Resistance1.95 Ω
Rise Time202 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height5.084 mm