Infineon IRLR8721PBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLR8721TRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK N-Channel 30 V 65A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
InfineonIRLR7821TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 65A;D-Pak (TO-252AA);PD 75W
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR8721PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK N-Channel 30 V 65A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
MOSFET, N Ch., 30V, 65A, 8.4 MOHM, 8.5 NC QG, D-PAK, Pb-Free
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:65W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:8.5nC; Current Id Max:65A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:65W; Power Dissipation Pd:65W; Pulse Current Idm:260A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance8.4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation65 W
Rds On Max8.4 mΩ
Recovery Time26 ns
Resistance8.4 MΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time9.4 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen