Infineon IRLR8256TRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLR8256TRPBF | 0 | 2K | Bulk | 5h | |||||||
| Farnell | IRLR8256TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Component Stockers USA | IRLR8256TRPBF | 24.838 | 1d | |||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRLR8256TRPBF | 92.074 | 1 | Tape & Reel | 16h | |||||||
| Win Source | WS-IRLR8256TRPBF | 83.340 | 100 | 14h |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLR8256TRPBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRLR8256TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFR3711ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 93A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
onsemiNTD4858NAT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 11.2A Ta 73A Tc 13.6A 2W 25V
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR8256TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 25 V 5.7 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK / Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET, 25V, 81A, 5.7MOHM, 10 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 25V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 25V, 81A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:81A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)81 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.47 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.7 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation63 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time46 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLR8256TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen