Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2012-06-26
LTD Date2012-09-26
Verwandte Teile
onsemiNTD50N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 6.8ns
onsemiNTD50N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD4865NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLR3714ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 20V, 37A, 15 MOHM, 4.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:37A; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance560 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max15 mΩ
Rise Time7.6 ns
Turn-Off Delay Time9.2 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen