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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLMS2002PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Compliant Reverse 3 mm Cut Tape No SVHC 45 mΩ 1.2 V 6
MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:6.5A; Resistance, Rds On:0.03ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1.2V; Case Style:Micro6; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:6; Capacitance Ciss Typ:1310pF; Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:15nC; Current Id Max:6.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:3.00mm; External Length / Height:1.45mm; External Width:3.00mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:15nC; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:45mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:30mohm; Package / Case:Micro6; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:20A; Reverse Recovery Time trr Typ:11ns; SMD Marking:2G; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Min:0.6V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
MountReverse
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Resistance45 mΩ
Reverse Recovery Time11 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Dimensions
Height1.45 mm
Width3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen