Infineon IRLB3813PBF
$ 0.89
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -26.34%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLB3813PBF herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRLB3813PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF3703PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.3Milliohms;ID 210A;TO-220AB;PD 230W;-55de
InfineonIRF1324PBF
24V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLB3813PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 1.95 mOhm 57 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 30V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 30V, 190A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:260A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:230W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Cont Current Id @ 100°C:190A; Cont Current Id @ 25°C:260A; Current Id Max:260A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:230W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -26.34%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.95 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max1.95 mΩ
Recovery Time36 ns
Resistance1.95 MΩ
Rise Time170 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRLB3813PBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen