Infineon IRLB3034PBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLB3034PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 40 V 1.7 mOhm 108 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Res Thick Film 2512 1K Ohm 5% 1W ±200ppm/C Molded SMD Automotive Punched Plastic T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 343A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, 40V, 343A, 1.7 MOHM, 108 NC QG,TO220
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
MOSFET, N-CH 40V 195A TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:195A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time355 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.315 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.7 mΩ
Resistance1.7 MΩ
Rise Time827 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time97 ns
Turn-On Delay Time65 ns
Dimensions
Height19.8 mm
Length10.5156 mm
Width4.699 mm
Datenblätter und Dokumente
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