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Infineon IRGP4740DPBF

Tube Through Hole ROHS3Compliant IGBT Transistor 2V @ 15V 24A 60A 250W 170ns
$ 2.03
Obsolete
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Rochester Electronics
IRGP4740DPBF
2.862
USD
2,270
2,030
1,910
13h
Win Source
WS-IRGP4740DPBF
50
12
USD
4,121
3,694
3,694
15h
Worldway Electronics
IRGP4740DPBF
4.896
7
Tube
USD
2,254
2,211
2,126
2,084
13h
Esaler Electronic
IRGP4740DPBF
87
USD
3,450
3,416
3,382
3,349
3,316
>1wk
Fly-Wing Technology
IRGP4740DPBF
1.096
USD
5,913
2,288
2,208
2,169
2,169
11h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRGP4740DPBF herunter.

IHS

Datasheet12 SeitenVor 11 Jahren

Bestandsverlauf

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2017-10-19
LTD Date2018-04-19

Verwandte Teile

InfineonIRGP4262DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Details
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STMicroelectronicsSTGWA30M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 258000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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InfineonIRGP4750DPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode | IGBT 650V TO-247
Details
onsemiFGH30T65UPDT-F155
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube
Details
onsemiNGTB30N65IHL2WG
NGTB Series 650 V 60 A Flange Mount Trench Field Stop IGBT - TO-247
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRGP4740DPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Tube Through Hole ROHS3Compliant IGBT Transistor 2V @ 15V 24A 60A 250W 170ns
Fly-Wing Technology
Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode | IGBT 650V TO-247
Win Source
Benefits: Low VCE(ON) and Switching Losses; 5.5s Short Circuit SOA; Square RBSOA; Maximum Junction Temperature 175C; Positive VCE(ON) Temperature Coefficient; Lead-Free, RoHs compliant
Infineon
IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 60A, TO-247AC; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247AC; No
Farnell

Bilder

Infineon
Newark
Farnell
TME
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001535780