Infineon IRG4PC50FPBF
$ 12.98
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW40NC60W
STGW40NC60W Series 600 V 40 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247
STMicroelectronicsSTGW40NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4PC50FPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRG4PC50FPBF, IGBT Transistor, 70 A 600V, 3-Pin TO-247AC
IRG4PC50 Series 600 V 39 A N-Channel Fast Speed IGBT - TO-247AC
FAST SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.6 V Current release time: 230 ns Power dissipation: 200 W
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:70A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.6V; Power Dissipation, Pd:200W; Package/Case:TO-247AC ;RoHS Compliant: Yes
IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:130ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:25ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current70 A
Current Rating70 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Max Collector Current70 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time240 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.6 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen