Infineon IRG4PC50F-EPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-08-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2018-06-30
LTD Date2018-12-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTGW40NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW40NC60W
STGW40NC60W Series 600 V 40 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRG4PC50F-EPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IGBT 600V 70A 200W TO247AD IGBT 600 V 70 A 200 W Through Hole TO-247AD
Gen 4 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
Target Applications: Air Conditioner; Refridgeration
MOSFET; 600V; 999.000A; TO-247 | Infineon IRG4PC50F-EPBF
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time190 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Collector Current70 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Turn-Off Delay Time240 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height20.701 mm
Length15.875 mm
Width5.3086 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen