Infineon IRFSL7534PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
Rochester ElectronicsIRFSL7530PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFSL7534PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TUBE / MOSFET, 60V,195A, 2.4mOhm, 186nC, D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; MSL:-
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time93 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.034 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.4 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation294 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time134 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time118 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height15.01 mm