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Infineon IRFR9024NTRLPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -55V; Rds(on) 0.175 Ohm; Id -11A; D-pak (TO-252AA); Pd 38W
$ 0.48
Production
Datenblatt
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Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
IRFR9024NTRLPBF
755
1
Cut Tape
USD
1,540
1,010
0,705
0,574
0,574
Rochester Electronics
IRFR9024NTRLPBF
85
USD
0,392
0,325
0,290
12h
Arrow Electronics
IRFR9024NTRLPBF
33.000
3K
USD
0,341
DigiKey
3
IRFR9024NTRLPBFCT-ND
9.544
1
Cut Tape
USD
1,620
1,020
0,674
0,477
0,477
Avnet
IRFR9024NTRLPBF
0
3K
USD
0,269
14h

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Newark

Upverter

RS (Formerly Allied Electronics)

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+61.04%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

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Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFR9024NTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
RS (Formerly Allied Electronics)
Single P-Channel 55 V 0.175 Ohm 19 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
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-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
IHS
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-11A; On Resistance, Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 175 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 37 / Rise Time ns = 55 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 38
Distrelec

Bilder

Infineon
Newark
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Future Electronics
LZChips
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001557198