Infineon IRFP4310ZPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP2907ZPBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
VishayIRFP9140PBF
Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFP4310ZPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC N-Channel 100 V 120A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247AC
Single N-Channel 100 V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
MOSFET, N Ch., 100V, 127A, 6 MOHM, 120 NC QG, TO-247AC, Pb-Free
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-247AC, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):4.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:280W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:134A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:280W; Pulse Current Idm:560A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation280 W
Rds On Max6 mΩ
Recovery Time40 ns
Resistance6 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen