Infineon IRFHM8228TRPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFHM8228TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 25 V 5.2 mOhm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Control or synchronous MOSFET for synchronous buck converter | MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
TAPE AND REEL / MOSFET, 25V,A, 5mOhm, 12nC, PQFN3.3x3.3 single
Trans MOSFET N-CH 25V 19A 8-Pin QFN EP T/R
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4C/W); Low Profile (less than 1.0 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; MultiPhase ControlFET; Point of Load ControlFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time6.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.667 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation34 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.8 W
Rds On Max5.2 mΩ
Resistance4.2 mΩ
Rise Time22 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height800 µm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen