Infineon IRFB7440GPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Verwandte Teile
InfineonIRLB8314PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRFI7440GPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
InfineonIPP120N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP160N3LL
N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP160N4LF6
N-channel 40 V, 0.0021 Ohm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFB7440GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TUBE / MOSFET, 40V, 120A, 2.5 mOhm, 90 nC Qg, TO-220AB
Brushed Motor drive applications | MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.73 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.5 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation208 W
Rds On Max2.5 mΩ